IRF7311PBF
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IRF7311PBF參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF7311TRPBFSaberModel IRF7311TRPBFSpiceModel
標準包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：27nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@15V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO