IRF7309PBF
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IRF7309PBF參數(shù)：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：N和P溝道
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A，3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：50毫歐@2.4A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：25nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：520pF@15V
功率-最大值：1.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO