IRF7233參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源： IRF7233SaberModel IRF7233SpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：95系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.5A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：74nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：6000pF@10V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
