IRF6893MTRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 29A MX
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計資源： IRF6893MTR1PBFSaberModel IRF6893MTR1PBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800系列：DirectFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：29A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.6毫歐@29A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：38nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3480pF@13V功率-最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容MX供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MX
