IRF6723M2DTR1P
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IRF6723M2DTR1P參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 15A DIRECTFET-MA

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計資源： IRF6723M2DTR1PSaberModel IRF6723M2DTR1PSpiceModel
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.6毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1380pF@15V
功率-最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MA
供應商器件封裝：DIRECTFET?MA