IRF6712STR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit設(shè)計資源： IRF6712STR1PBFSaberModel IRF6712STR1PBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：17A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.9毫歐@17A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1570pF@13V功率-最大值：2.2W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容SQ供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?SQ
