IRF6665TR1PBF
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IRF6665TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設(shè)計(jì)資源： IRF6655TR1PBFSaberModel IRF6655TR1PBFSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：62毫歐@5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：530pF@25V
功率-最大值：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容SH
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?SH