IRF6626TR1參數(shù):MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: IRHexfetCircuit設(shè)計(jì)資源: IRF6626SaberModel IRF6626SpiceModelPCNObsolescence: (EP)Parts25/May/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):16A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):5.4毫歐@16A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.35V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2380pF@15V功率-最大值:2.2W安裝類型:表面貼裝封裝:DirectFET?等容ST供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET?ST