IRF6619TRPBF
PDF資料下載

IRF6619TRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設(shè)計資源： IRF6619SaberModel IRF6619SpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：30A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.2毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.45V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：57nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5040pF@10V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MX
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MX