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IRF6610TR1

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IRF6610TR1

Infineon Techn..

DIRECTFET? SQ

2023+

500

全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

IRF6610TR1PBF

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深圳市同亨電子有限公司

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InternationalR..

DirectFETtra..

2023+

3200

全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IRF6610TR1

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深圳市科錦電子有限公司

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聯(lián)系人：肖小姐

IRF6610TR1

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2023+

1000

品質(zhì)保證,價格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

IRF6610TR1PBF

1000trsmd

2023+

2278

全新進口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李先生

IRF6610TR1

SO-8

2023+

5000

低價格.高品質(zhì).服務好.現(xiàn)..

相關(guān)型號： IRF6610 IRF6609TRPBF IRF6609TR1PBF IRF6609TR1 IRF6609 IRF6608TR1

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IRF6610TR1參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設計資源： IRF6610SaberModel IRF6610SpiceModel
PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.8毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.55V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1520pF@10V
功率-最大值：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容SQ
供應商器件封裝：DIRECTFET?SQ

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