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IRF6604TR1

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IRF6604TR1

Infineon Techn..

DIRECTFET? MQ

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

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InternationalR..

DirectFETtra..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IRF6604TR1

InternationalR..

DirectFETtra..

2023+

6000

品質(zhì)保證,價格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

IRF6604TR1

2023+

2609

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李先生

IRF6604TR1

進(jìn)口原裝庫房現(xiàn)貨

2023+

5600

IRF6604TR1

2023+

2368

只做原裝正品現(xiàn)貨

相關(guān)型號： IRF6604 IRF6603TR1 IRF6603 IRF6602 IRF6601 IRF644STRRPBF

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IRF6604TR1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11.5毫歐@12A，7V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：26nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2270pF@15V
功率-最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MQ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MQ

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