IRF630參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： IRF630ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：MESHOVERLAY™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：400毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@25V功率-最大值：75W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB工具箱：497-8004-KIT-ND-KITMOSFETTHRUHOLE9VAL5EA
