IRF6217TRPBF
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IRF6217TRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF6217TRPBFSaberModel IRF6217TRPBFSpiceModel
標準包裝：4,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：150V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：700mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.4歐姆@420mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：150pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO