IRF620參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@3.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：260pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
