IRF5800TR參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源： IRF5800SaberModel IRF5800SpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：85毫歐@4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：535pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）