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IRF3709STRLPBF

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相關(guān)型號： IRF3709STRL IRF3709SPBF IRF3709S IRF3709PBF IRF3709LPBF IRF3709L

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IRF3709STRLPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：90A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：41nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2672pF@16V
功率-最大值：3.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK

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