IRF2907ZS-7PPBF
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IRF2907ZS-7PPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：75V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：160A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.8毫歐@110A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：260nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7580pF@25V
功率-最大值：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片），TO-263CB
供應商器件封裝：D2PAK（7-Lead）