IRF2807STRL參數(shù)：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源： IRF2807LSaberModel IRF2807LSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：75V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：82A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：13毫歐@43A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：160nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3820pF@25V功率-最大值：230W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
IRTO-2632023+6552全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，即時發(fā)貨
