IPU06N03LB G
PDF資料下載

IPU06N03LB G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
標準包裝：1,500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：50A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.3毫歐@50A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@40µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2800pF@15V
功率-最大值：83W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3長引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3