IPP60R190E6參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：CoolMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：190毫歐@9.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@630µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：63nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1400pF@100V功率-最大值：151W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
