IPP16CNE8N G
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IPP16CNE8N G參數(shù)：MOSFET N-CH 85V 53A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
標(biāo)準包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準
漏源極電壓(Vdss)：85V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：53A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16.5毫歐@53A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@61µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3230pF@40V
功率-最大值：100W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3