IPI100P03P3L-04參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： IP(B,I,P)100P03P3L-04Discontinuation14/Aug/2009標準包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.3毫歐@80A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@475µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：200nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9300pF@25V功率-最大值：200W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：PG-TO262-3
