IPI076N12N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：100A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7.6 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 130µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：101nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6640pF @ 60V功率 - 最大值：188W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
