IPI028N08N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：80V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.8毫歐@100A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.5V@270µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：206nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：14200pF@40V功率-最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
