IPG20N06S3L-35參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Nov/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：35毫歐@11A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@15µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：23nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1730pF@25V功率-最大值：30W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
