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IPD50N06S2L

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Infineon Techn..

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全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

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Infineon Techn..

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2023+

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全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

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全新進口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量

深圳市科錦電子有限公司

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2023+

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全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

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聯(lián)系人：肖小姐

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INFINEON

TO252-3-11

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24260

品質(zhì)保證,價格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

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一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長..

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相關型號： IPD50N06S2-14 IPD50N04S4L-08 IPD50N04S4-10 IPD50N04S4-08 IPD50N04S3-09 IPD50N04S3-08

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IPD50N06S2L-13參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：50A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.7 毫歐 @ 34A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：136W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：PG-TO252-3

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