IPD30N10S3L-34參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：30A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 29µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1976pF @ 25V功率 - 最大值：57W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
