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IPB80N06S3-05

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深圳市科錦電子有限公司

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聯(lián)系人：肖小姐

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品質(zhì)保證,價格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
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相關型號： IPB80N06S2L-H5 IPB80N06S2L-11 IPB80N06S2L-09 IPB80N06S2L-07 IPB80N06S2L-06 IPB80N06S2L-05

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IPB80N06S3-05參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
標準包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.1毫歐@63A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@110µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：240nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：10760pF@25V
功率-最大值：165W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-3

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