IPB123N10N3 G
PDF資料下載

IPB123N10N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：58A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 50V
功率 - 最大值：94W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2