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IPB080N03LG

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IPB080N03LG 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

infineon

TO-263

2023+

8350

原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

IPB080N03LGATMA1

Infineon Techn..

PG-TO263-3

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號(hào))
聯(lián)系人：洪小姐

IPB080N03LG

InfineonTechno..

TO-263-3,Dsu..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IPB080N03LG

Infineon

D2PAK-3

2023+

12300

【【原裝絕對(duì)有貨】】

IPB080N03LG

英飛凌

(TO-263)

2023+

5000

低價(jià)格.高品質(zhì).服務(wù)好.現(xiàn)..

相關(guān)型號(hào)： IPB080N03L G IPB075N04L G IPB072N15N3 G E8187 IPB072N15N3 G IPB070N06L G IPB06N03LB G

IPB080N03L G
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IPB080N03L G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：50A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 15V
功率 - 最大值：47W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2

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