IPB036N12N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：180A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V功率 - 最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7
