IPB021N06N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：120A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.1毫歐@100A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@196µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：275nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：23000pF@30V功率-最大值：250W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2
