IGB01N120H2參數(shù)：IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，1A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：3.5A功率 - 最大值：28WSwitching Energy：140µJ輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge：8.6nCTd (on/off) A 25°C：13ns/370nsTest Condition：800V, 1A, 241 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3-2
