HYB25D512800CE-5
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HYB25D512800CE-5參數(shù)：IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP

類(lèi)別：集成電路 (IC)-存儲(chǔ)器
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
格式 - 存儲(chǔ)器：RAM
存儲(chǔ)器類(lèi)型：DDR SDRAM
存儲(chǔ)容量：512M（64M x 8）
速度：200MHz
接口：并聯(lián)
電壓 - 電源：2.3 V ~ 2.7 V
工作溫度：0°C ~ 70°C
封裝：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：66-TSOP II