HUF75829D3參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：1,800系列：UltraFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：150V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 18A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：70nC @ 20V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1080pF @ 25V功率 - 最大值：110W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應商器件封裝：I-Pak
