HAT2165N-EL-E
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HAT2165N-EL-E參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：55A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 27.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5180pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
供應商器件封裝：8-LFPAK-iV