FQPF6N80CT
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FQPF6N80CT參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
標準包裝：50
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：800V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@2.75A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1310pF@25V
功率-最大值：51W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應商器件封裝：TO-220F