FDY2000PZ參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： MoldCompound20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：350mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@350mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：100pF@10V功率-最大值：446mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SOT-563F
