FDS6875
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FDS6875參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2250pF@10V
功率-最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN