FDS6681Z
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FDS6681Z參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 20A SO-8

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.6毫歐@20A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：260nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：7540pF@15V
功率-最大值：1W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：SO-8