FDS6673BZ
PDF資料下載

FDS6673BZ參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：14.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.8毫歐@14.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：124nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4700pF@15V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN