FDS6575參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 10A SO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：13毫歐@10A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：74nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4951pF@10V功率-最大值：1.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：SO-8
FAIRCSO-82023+8075全新原廠原裝現(xiàn)貨
