FDS6375參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：24毫歐@8A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2694pF@10V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
