FDS5692Z參數(shù):MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:UltraFET™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):50V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):5.8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 5.8A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1025pF @ 25V功率 - 最大值:1.1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N