FDS4935BZ參數(shù)：IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 FDS4935BZDieRevision05/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：22毫歐@6.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：40nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1360pF@15V功率-最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
