FDS3170N7參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：26毫歐@6.7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：77nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2714pF@50V功率-最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
