FDR858P
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FDR858P參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2010pF @ 15V
功率 - 最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SSOT，SuperSOT-8
供應商器件封裝：8-SSOT