FDN306P參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.8V驅動漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40毫歐@2.6A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1138pF@6V功率-最大值：460mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：3-SSOT
