FDMS6681Z參數(shù):MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: Materials14/Apr/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):21.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):3.2毫歐@22.1A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):241nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):10380pF@15V功率-最大值:2.5W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-PQFN,Power56供應(yīng)商器件封裝:Power56