FDMC86106LZ參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： FDMC86106LZ13/Jun/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：103毫歐@3.3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：310pF@50V功率-最大值：2.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerWDFN供應(yīng)商器件封裝：8-MLP（3.3X3.3），Power33
